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MJ15001

功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

Complementary Silicon Power Transistors

The and MJ15002 are EpiBase™ power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications.

Features

• High Safe Operating Area 100% Tested − 5.0 A @ 40 V

                                                           0.5 A @ 100 V

• For Low Distortion Complementary Designs

• High DC Current Gain − hFE = 25 Min @ IC = 4 Adc

• Pb−Free Packages are Available
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MJ15001中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 140 V

额定电流 15.0 A

击穿电压集电极-发射极 140 V

最小电流放大倍数hFE 25 @4A, 2V

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MJ15001引脚图与封装图
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MJ15001 ON Semiconductor 安森美 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 搜索库存
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型号: MJ15001

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-3 140V 15A

当前型号

功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

当前型号

型号: MJ15001G

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 140V 15A 200000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MJ15001G  单晶体管 双极, 音频, NPN, 140 V, 2 MHz, 200 mW, 15 A, 25 hFE

MJ15001和MJ15001G的区别