额定电压DC 300 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 15 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 30
最大电流放大倍数hFE 240
额定功率Max 1.56 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 2500
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MJD340 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: DPAK-3 NPN 300V 500mA 15W | 当前型号 | 高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors | 当前型号 | |
型号: MJD340T4G 品牌: 安森美 封装: TO252-3 NPN 300V 500mA 1560mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJD340T4G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 10 MHz, 1.56 W, 500 mA, 30 hFE | MJD340和MJD340T4G的区别 | |
型号: MJD340G 品牌: 安森美 封装: DPAK NPN 300V 500mA 1560mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJD340G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 15 W, 500 mA, 240 hFE | MJD340和MJD340G的区别 | |
型号: NJVMJD340T4G 品牌: 安森美 封装: DPAK-4 NPN 1560mW | 类似代替 | MJD340: 0.5 A,300 V,高电压,NPN 双极功率晶体管 | MJD340和NJVMJD340T4G的区别 |