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MJD340中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 15 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 30

最大电流放大倍数hFE 240

额定功率Max 1.56 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

最小包装 2500

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD340引脚图与封装图
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在线购买MJD340
型号 制造商 描述 购买
MJD340 ON Semiconductor 安森美 高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors 搜索库存
替代型号MJD340
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJD340

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: DPAK-3 NPN 300V 500mA 15W

当前型号

高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors

当前型号

型号: MJD340T4G

品牌: 安森美

封装: TO252-3 NPN 300V 500mA 1560mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MJD340T4G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 10 MHz, 1.56 W, 500 mA, 30 hFE

MJD340和MJD340T4G的区别

型号: MJD340G

品牌: 安森美

封装: DPAK NPN 300V 500mA 1560mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MJD340G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 15 W, 500 mA, 240 hFE

MJD340和MJD340G的区别

型号: NJVMJD340T4G

品牌: 安森美

封装: DPAK-4 NPN 1560mW

类似代替

MJD340: 0.5 A,300 V,高电压,NPN 双极功率晶体管

MJD340和NJVMJD340T4G的区别