MJD243中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 12.5 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 40
最大电流放大倍数hFE 180
额定功率Max 1.4 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 2500
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MJD243引脚图与封装图
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在线购买MJD243
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD243 | ON Semiconductor 安森美 | 互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistor | 搜索库存 |
替代型号MJD243
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD243 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DPAK-3 NPN 100V 4A | 当前型号 | 互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistor | 当前型号 |
| 型号： MJD243T4G 品牌： 安森美 封装： DPAK NPN 100V 4A 1400mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJD243T4G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 100 V, 40 MHz, 12.5 W, 4 A, 15 hFE 新 | MJD243和MJD243T4G的区别 |
| 型号： MJD243G 品牌： 安森美 封装： DPAK NPN 100V 4A 1400mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJD243G 单晶体管 双极, 音频, NPN, 100 V, 40 MHz, 1.4 W, 4 A, 40 hFE | MJD243和MJD243G的区别 |
| 型号： MJD243T4 品牌： 安森美 封装： DPAK NPN 100V 4A | 类似代替 | 互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistor | MJD243和MJD243T4的区别 |