MPS2369G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 15.0 V
额定电流 200 mA
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MPS2369G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MPS2369G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS2369G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 15V 200mA | 当前型号 | TRANS NPN 15V 0.2A TO92 | 当前型号 |
| 型号： MPS2369 品牌： 安森美 封装： TO-92 15V 200mA | 完全替代 | 开关晶体管（ NPN硅） Switching TransistorsNPN Silicon | MPS2369G和MPS2369的区别 |
| 型号： MMBT2369ALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 15V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2369ALT1G 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFE | MPS2369G和MMBT2369ALT1G的区别 |
| 型号： MMBT2369LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 15V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2369LT1G 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFE | MPS2369G和MMBT2369LT1G的区别 |