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MJD41CT4

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

Complementary Power Transistors

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

Features

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves No Suffix

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves “1” Suffix

• Electrically Similar to Popular TIP41 and TIP42 Series

• Monolithic Construction With Built−in Base − Emitter Resistors

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V

                   Machine Model, C > 400 V

• Pb−Free Packages are Available

MJD41CT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 6.00 A

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 4V

额定功率Max 1.75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD41CT4引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MJD41CT4 ON Semiconductor 安森美 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors 搜索库存
替代型号MJD41CT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJD41CT4

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: DPAK NPN 100V 6A

当前型号

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

当前型号

型号: MJD41CT4G

品牌: 安森美

封装: DPAK NPN 100V 6A 1750mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MJD41CT4G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 1.75 W, 6 A, 15 hFE

MJD41CT4和MJD41CT4G的区别

型号: MJD41CRLG

品牌: 安森美

封装: DPAK NPN 100V 6A 1750mW

类似代替

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

MJD41CT4和MJD41CRLG的区别

型号: NJVMJD41CT4G

品牌: 安森美

封装: TO-252-3 NPN 1750mW

类似代替

MJD41C: 6.0 A,100 V,NPN 双极功率晶体管

MJD41CT4和NJVMJD41CT4G的区别