MJF15030中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
额定电流 8.00 A
极性 NPN
耗散功率 36 W
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.63 mm
宽度 4.9 mm
高度 9.24 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJF15030引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJF15030
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJF15030 | ON Semiconductor 安森美 | 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | 搜索库存 |
替代型号MJF15030
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJF15030 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 NPN 150V 8A | 当前型号 | 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | 当前型号 |
| 型号： MJF15030G 品牌： 安森美 封装： DIP NPN 150V 8A 2000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJF15030G 单晶体管 双极, 音频, NPN, 150 V, 30 MHz, 2 W, 8 A, 30 hFE | MJF15030和MJF15030G的区别 |