MJE15031中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -150 V
额定电流 -8.00 A
击穿电压集电极-发射极 150 V
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 2V
额定功率Max 50 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJE15031引脚图与封装图
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在线购买MJE15031
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJE15031 | ON Semiconductor 安森美 | 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | 搜索库存 |
替代型号MJE15031
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJE15031 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 -150V -8A | 当前型号 | 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | 当前型号 |
| 型号： MJE15031G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP -150V -8A 50000mW | 完全替代 | PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | MJE15031和MJE15031G的区别 |