额定电压DC -100 V
额定电流 -10.0 A
极性 PNP
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 3000 @3A, 4V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.63 mm
宽度 4.9 mm
高度 9.24 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MJF6668 | ON Semiconductor 安森美 | 互补颖电DARLINGTONS 10安培100伏, 40瓦 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 10 AMPERES 100 VOLTS, 40 WATTS | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MJF6668 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO–220 PNP -100V -10A 2W | 当前型号 | 互补颖电DARLINGTONS 10安培100伏, 40瓦 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 10 AMPERES 100 VOLTS, 40 WATTS | 当前型号 | |
型号: MJF127G 品牌: 安森美 封装: TO-220 PNP -100V 5A 2000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJF127G. 双极晶体管 | MJF6668和MJF127G的区别 | |
型号: MJF6668G 品牌: 安森美 封装: TO-220-3 PNP -100V -10A 2000mW | 类似代替 | 互补发电DARLINGTONS Complementary Power Darlingtons | MJF6668和MJF6668G的区别 |