MJH6284中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 20.0 A
极性 NPN
耗散功率 160 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 20A
最小电流放大倍数hFE 750 @10A, 3V
最大电流放大倍数hFE 18000
额定功率Max 160 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-218-3
外形尺寸
长度 15.2 mm
宽度 4.9 mm
高度 12.2 mm
封装 TO-218-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 30
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJH6284引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJH6284
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJH6284 | ON Semiconductor 安森美 | 达林顿20安培互补硅功率晶体管100伏特， 160瓦 DARLINGTON 20 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 100 VOLTS, 160 WATTS | 搜索库存 |
替代型号MJH6284
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJH6284 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-218-3 NPN 100V 20A | 当前型号 | 达林顿20安培互补硅功率晶体管100伏特， 160瓦 DARLINGTON 20 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 100 VOLTS, 160 WATTS | 当前型号 |
| 型号： MJH6284G 品牌： 安森美 封装： TO-218 NPN 100V 20A 160000mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MJH6284G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 4 MHz, 160 W, 20 A, 18000 hFE | MJH6284和MJH6284G的区别 |