额定电压DC 100 V
额定电流 5.00 A
极性 NPN
耗散功率 30 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 2000 @3A, 3V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.63 mm
宽度 4.9 mm
高度 9.24 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MJF122 | ON Semiconductor 安森美 | 互补颖电DARLINGTONS 5.0 A, 100 V, 30瓦 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 5.0 A, 100 V, 30 W | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MJF122 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-220 NPN 100V 5A | 当前型号 | 互补颖电DARLINGTONS 5.0 A, 100 V, 30瓦 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 5.0 A, 100 V, 30 W | 当前型号 | |
型号: MJF122G 品牌: 安森美 封装: TO-220 NPN 100V 5A 2000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJF122G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 30 W, 5 A, 2000 hFE | MJF122和MJF122G的区别 |