MPSA29RLRP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MPSA29RLRP引脚图与封装图
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在线购买MPSA29RLRP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPSA29RLRP | ON Semiconductor 安森美 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号MPSA29RLRP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSA29RLRP 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 100V 500mA | 当前型号 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： MPSA29 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 100V 500mA 625mW | 功能相似 | 达林顿晶体管（ NPN硅） Darlington TransistorsNPN Silicon | MPSA29RLRP和MPSA29的区别 |
| 型号： MPSA29D26Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A IC, 100V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | MPSA29RLRP和MPSA29D26Z的区别 |