MJD31CTF_SBDD001A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MJD31CTF_SBDD001A中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 1560 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
最大电流放大倍数hFE 25 @1A, 4V
额定功率Max 1.56 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD31CTF_SBDD001A引脚图与封装图
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在线购买MJD31CTF_SBDD001A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD31CTF_SBDD001A | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Sil | 搜索库存 |
替代型号MJD31CTF_SBDD001A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD31CTF_SBDD001A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： DPAK NPN | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Sil | 当前型号 |
| 型号： MJD31CTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 NPN 100V 3A 1560mW | 类似代替 | NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | MJD31CTF_SBDD001A和MJD31CTF的区别 |
| 型号： KSH31CTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 NPN 100V 3A 1560mW | 类似代替 | NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | MJD31CTF_SBDD001A和KSH31CTF的区别 |