MMSZ5258BT3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 36.0 V
容差 ±5 %
额定功率 500 mW
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 500 mW
稳压值 36 V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-123
外形尺寸
封装 SOD-123
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMSZ5258BT3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMSZ5258BT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMSZ5258BT3 | ON Semiconductor 安森美 | 齐纳稳压器 Zener Voltage Regulators | 搜索库存 |
替代型号MMSZ5258BT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMSZ5258BT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOD-123 36V | 当前型号 | 齐纳稳压器 Zener Voltage Regulators | 当前型号 |
| 型号： MMSZ36T1G 品牌： 安森美 封装： SOD-123 36V | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MMSZ36T1G Zener Single Diode, 36 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pins, 150 °C 新 | MMSZ5258BT3和MMSZ36T1G的区别 |
| 型号： MMSZ5258BT1G 品牌： 安森美 封装： SOD-123 36V 37.8V | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MMSZ5258BT1G. 齐纳二极管 | MMSZ5258BT3和MMSZ5258BT1G的区别 |
| 型号： MMSZ4715T1G 品牌： 安森美 封装： SOD-123 36V | 完全替代 | 500mW，MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1G 系列，ON Semiconductor表面安装外壳，SOD-123 ### Zener Diodes, ON Semiconductor | MMSZ5258BT3和MMSZ4715T1G的区别 |