MMSZ4V3T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 4.30 V
容差 ±5 %
额定功率 500 mW
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 4.3 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-123
外形尺寸
长度 2.69 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.12 mm
封装 SOD-123
物理参数
材质 Plastic
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMSZ4V3T1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MMSZ4V3T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMSZ4V3T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOD-123 4.3V | 当前型号 | 齐纳稳压器 Zener Voltage Regulators | 当前型号 |
| 型号： MMSZ5229BT1G 品牌： 安森美 封装： SOD-123 4.3V | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMSZ5229BT1G 单管二极管 齐纳, 4.3 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C | MMSZ4V3T1和MMSZ5229BT1G的区别 |
| 型号： BZT52C4V3-7-F 品牌： 美台 封装： SOD-123 4.3V | 功能相似 | 稳压二极管 | MMSZ4V3T1和BZT52C4V3-7-F的区别 |
| 型号： MM3Z4V3T1G 品牌： 安森美 封装： SOD-323 4.3V 4.6V | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MM3Z4V3T1G 单管二极管 齐纳, 4.3 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C | MMSZ4V3T1和MM3Z4V3T1G的区别 |