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MTZJT-7711B

MTZJT-7711B

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

稳压二极管 11V 5MA

Zener Diode 11V 500mW ±3% Through Hole MSD


得捷:
DIODE ZENER 11V 500MW MSD


贸泽:
稳压二极管 11V 5MA


MTZJT-7711B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 11.0 V

容差 ±3 %

额定功率 500 mW

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 11 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-34-2

外形尺寸

长度 2.7 mm

宽度 1.8 mm

高度 1.8 mm

封装 DO-34-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MTZJT-7711B引脚图与封装图
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