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MAX15012AASA+T

MAX15012AASA+T

数据手册.pdf

MOSFET DRVR 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin SOIC N T/R

半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC


贸泽:
Gate Drivers 175V/2A High-Speed Half-B MOSFET Drvr


Chip1Stop:
Driver 2A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R


MAX15012AASA+T中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 12.6V max

上升/下降时间 65 ns

输出接口数 2

耗散功率 470.6 mW

上升时间 65 ns

下降时间 65 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 8V ~ 12.6V

电源电压Min 8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MAX15012AASA+T引脚图与封装图
MAX15012AASA+T引脚图

MAX15012AASA+T引脚图

MAX15012AASA+T封装图

MAX15012AASA+T封装图

MAX15012AASA+T封装焊盘图

MAX15012AASA+T封装焊盘图

在线购买MAX15012AASA+T
型号 制造商 描述 购买
MAX15012AASA+T Maxim Integrated 美信 MOSFET DRVR 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin SOIC N T/R 搜索库存
替代型号MAX15012AASA+T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MAX15012AASA+T

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: Surface 12.6V 8Pin

当前型号

MOSFET DRVR 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin SOIC N T/R

当前型号

型号: MAX15012BASA+

品牌: 美信

封装: SO-8 12.6V 8Pin

完全替代

175V / 2A ,高速,半桥MOSFET驱动器 175V/2A, High-Speed, Half-Bridge MOSFET Drivers

MAX15012AASA+T和MAX15012BASA+的区别

型号: MAX15013AASA+T

品牌: 美信

封装: SOIC-8 12.6V 8Pin

完全替代

MOSFET DRVR 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin SOIC N T/R

MAX15012AASA+T和MAX15013AASA+T的区别

型号: MAX15012CASA+T

品牌: 美信

封装: Surface

完全替代

半桥 MOSFET 灌:2A 拉:2A

MAX15012AASA+T和MAX15012CASA+T的区别