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MPQ8039GN-AEC1-Z

MPQ8039GN-AEC1-Z

数据手册.pdf
Monolithic Power Systems 美国芯源系统 电子元器件分类

MOSFET DRVR 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R

半桥 驱动器 通用 功率 MOSFET 8-SOIC-EP


得捷:
IC HALF-BRIDGE PWM 8-SOIC


安富利:
MOSFET DRVR 1-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC EP T/R


MPQ8039GN-AEC1-Z中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

下降时间Max 20 ns

上升时间Max 20 ns

电源电压 7.5V ~ 24V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MPQ8039GN-AEC1-Z引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MPQ8039GN-AEC1-Z Monolithic Power Systems 美国芯源系统 MOSFET DRVR 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R 搜索库存
替代型号MPQ8039GN-AEC1-Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MPQ8039GN-AEC1-Z

品牌: Monolithic Power Systems 美国芯源系统

封装:

当前型号

MOSFET DRVR 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R

当前型号

型号: MPQ8039GN-AEC1

品牌: 美国芯源系统

封装: 8-SOIC

完全替代

门驱动器 HighCurr Power Half Brdg AEC-Q100Qualifd

MPQ8039GN-AEC1-Z和MPQ8039GN-AEC1的区别