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MC10EP51DR2G

MC10EP51DR2G

数据手册.pdf

3.3V / 5V ECL D触发器与复位和差分时钟 3.3V / 5V ECL D Flip−Flop with Reset and Differential Clock

1 元件 D 型 1 位 正，负 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）


得捷:
IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 8SOIC


立创商城:
MC10EP51DR2G


贸泽:
触发器 3.3V/5V ECL D-Type w/Reset and Diff Clk


艾睿:
Flip Flop D-Master-Slave Type Pos-Edge/Neg-Edge 1-Element 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Flip Flop D-Master-Slave Type Pos-Edge/Neg-Edge 1-Element 8-Pin SOIC N T/R


Chip1Stop:
Flip Flop D-Master-Slave Type Pos-Edge/Neg-Edge 1-Element 8-Pin SOIC N T/R


Verical:
Flip Flop D-Master-Slave Type Pos-Edge/Neg-Edge 1-Element 8-Pin SOIC N T/R


MC10EP51DR2G中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.50V max

无卤素状态 Halogen Free

输出接口数 1

电路数 1

时钟频率 3 GHz

位数 1

极性 Non-Inverting, Inverting

输入数 1

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压Max 5.5V, 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 ATE

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MC10EP51DR2G引脚图与封装图
MC10EP51DR2G引脚图

MC10EP51DR2G引脚图

MC10EP51DR2G封装图

MC10EP51DR2G封装图

MC10EP51DR2G封装焊盘图

MC10EP51DR2G封装焊盘图

在线购买MC10EP51DR2G
型号 制造商 描述 购买
MC10EP51DR2G ON Semiconductor 安森美 3.3V / 5V ECL D触发器与复位和差分时钟 3.3V / 5V ECL D Flip−Flop with Reset and Differential Clock 搜索库存
替代型号MC10EP51DR2G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MC10EP51DR2G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOIC-8 1Bit 5.5V

当前型号

3.3V / 5V ECL D触发器与复位和差分时钟 3.3V / 5V ECL D Flip−Flop with Reset and Differential Clock

当前型号

型号： MC100EP51DR2G

品牌： 安森美

封装： SOIC-8 1Bit 5.5V

完全替代

3.3V / 5V ECL D触发器与复位和差分时钟 3.3V / 5V ECL D Flip−Flop with Reset and Differential Clock

MC10EP51DR2G和MC100EP51DR2G的区别

型号： MC100EP31DR2G

品牌： 安森美

封装： SOIC 1Bit 5.5V

完全替代

3.3V / 5V ECL D触发器具有​​置位和复位 3.3V / 5V ECL D Flip−Flop with Set and Reset

MC10EP51DR2G和MC100EP31DR2G的区别

型号： MC10EP51DR2

品牌： 安森美

封装： 1Bit 5.5V

完全替代

3.3V / 5V ECL D触发器与复位和差分时钟 3.3V / 5V ECL D Flip−Flop with Reset and Differential Clock

MC10EP51DR2G和MC10EP51DR2的区别