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MC100LVEL01DTG

MC100LVEL01DTG

数据手册.pdf

差分四输入或/或非门

The MC100LVEL01 is a 4-input OR/NOR gate. The device is functionally equivalent to the EL01 device and works from a -3.3V supply. With AC performance similar to the EL01 device, the LVEL01 is ideal for low voltage applications which require the ultimate in AC performance.

Features

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370ps Propagation Delay
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High Bandwidth Output Transitions
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ESD Protection: >2 KV HBM, >200 V MM
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The 100 Series Contains Temperature Compensation
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PECL Mode Operating Range: VCC= 3.0 V to 3.8 V with VEE= 0 V
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NECL Mode Operating Range: VCC= 0 V with VEE= -3.0 V to -3.8 V
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Internal Input Pulldown Resistors
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Q Output will Default LOW with All Inputs Open or at VEE
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Meets or Exceeds JEDEC Spec EIA/JESD78 IC Latchup Test
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Moisture Sensitivity Level 1

For Additional Information, see Application Note AND8003/D

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Flammability Rating: UL-94 code V-0 @ 1/8", Oxygen Index 28 to 34
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Transistor Count = 83 devices
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Pb-Free Packages are Available
MC100LVEL01DTG中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V

无卤素状态 Halogen Free

输出接口数 2

电路数 1

逻辑门个数 1

输入数 4

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.8V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

高度 0.95 mm

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MC100LVEL01DTG引脚图与封装图
MC100LVEL01DTG引脚图

MC100LVEL01DTG引脚图

MC100LVEL01DTG封装图

MC100LVEL01DTG封装图

MC100LVEL01DTG封装焊盘图

MC100LVEL01DTG封装焊盘图

在线购买MC100LVEL01DTG
型号 制造商 描述 购买
MC100LVEL01DTG ON Semiconductor 安森美 差分四输入或/或非门 搜索库存
替代型号MC100LVEL01DTG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MC100LVEL01DTG

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TSSOP-8 3.3V 8Pin

当前型号

差分四输入或/或非门

当前型号

型号: MC100LVEL01DR2G

品牌: 安森美

封装: SOIC-8

完全替代

3.3V ECL 4输入或/或非 3.3V ECL 4−Input OR/NOR

MC100LVEL01DTG和MC100LVEL01DR2G的区别

型号: MC100LVEL01DG

品牌: 安森美

封装: SOIC-8 3.3V 8Pin

完全替代

3.3V ECL 4输入或/或非 3.3V ECL 4−Input OR/NOR

MC100LVEL01DTG和MC100LVEL01DG的区别

型号: MC100LVEL01DT

品牌: 安森美

封装: 8-TSSOP 3.3V 8Pin

完全替代

3.3V ECL 4输入或/或非 3.3V ECL 4−Input OR/NOR

MC100LVEL01DTG和MC100LVEL01DT的区别