MPTE-015G中文资料参数规格
技术参数
工作电压 15 V
击穿电压 17.6 V
电路数 1
钳位电压 25 V
最大反向电压（Vrrm） 15V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 17.6 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-201AD
外形尺寸
封装 DO-201AD
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MPTE-015G引脚图与封装图
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在线购买MPTE-015G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPTE-015G | ON Semiconductor 安森美 | ESD 抑制器/TVS 二极管 15V 1500W Unidirectional | 搜索库存 |
替代型号MPTE-015G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPTE-015G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DO-201AD | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 15V 1500W Unidirectional | 当前型号 |
| 型号： 1N6377G 品牌： 安森美 封装： 17.6V 1.5kW | 完全替代 | 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | MPTE-015G和1N6377G的区别 |