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MMBZ16VALT1G

MMBZ16VALT1G

数据手册.pdf

ESD 抑制器/TVS 二极管 ZENER SOT23 5% VZ TOLERAN

Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 16V 225mW ±5% SOT-23-3 TO-236


欧时:
ON Semiconductor, MMBZ16VALT1G


得捷:
DIODE ZENER 16V SOT23-3


立创商城:
MMBZ16VALT1G


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 ZENER SOT23 5% VZ TOLERAN


艾睿:
ESD Suppressor Zener Uni-Dir 13V 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Diode TVS Dual Common Anode Uni-Directional 13V 40W 3-Pin SOT-3 T/R


Verical:
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir 13V 3-Pin SOT-23 T/R


MMBZ16VALT1G中文资料参数规格
技术参数

工作电压 13 V

容差 ±5 %

击穿电压 15.2 V

正向电压 900mV @10mA

耗散功率 300 mW

钳位电压 23 V

最大反向电压(Vrrm) 13V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 16.8 V

稳压值 16 V

脉冲峰值功率 40 W

最小反向击穿电压 15.2 V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBZ16VALT1G引脚图与封装图
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在线购买MMBZ16VALT1G
型号 制造商 描述 购买
MMBZ16VALT1G ON Semiconductor 安森美 ESD 抑制器/TVS 二极管 ZENER SOT23 5% VZ TOLERAN 搜索库存
替代型号MMBZ16VALT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBZ16VALT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-236-3

当前型号

ESD 抑制器/TVS 二极管 ZENER SOT23 5% VZ TOLERAN

当前型号

型号: SZMMBZ16VTALT1G

品牌: 安森美

封装: TO-236

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品牌: 安森美

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