MPLAD6.5KP11CAE3
Microsemi(美高森美)
主动器件
MPLAD6.5KP11CAE3中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 6500 W
最小反向击穿电压 12.2 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD
外形尺寸
封装 SMD
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MPLAD6.5KP11CAE3引脚图与封装图 
MPLAD6.5KP11CAE3引脚图
MPLAD6.5KP11CAE3封装图
MPLAD6.5KP11CAE3封装焊盘图
在线购买MPLAD6.5KP11CAE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPLAD6.5KP11CAE3 | Microsemi 美高森美 | Tvs Diode 11vwm 18.2vc Plad | 搜索库存 |
替代型号MPLAD6.5KP11CAE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPLAD6.5KP11CAE3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | Tvs Diode 11vwm 18.2vc Plad | 当前型号 |
| 型号： MPLAD6.5KP11CA 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | Diode: transil; 6.5kW; 12.2÷13.5V; 358A; bidirectional; PLAD | MPLAD6.5KP11CAE3和MPLAD6.5KP11CA的区别 |
| 型号： MXLPLAD6.5KP11CA 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | TVS 6.5kW BIDIRECT PLAD | MPLAD6.5KP11CAE3和MXLPLAD6.5KP11CA的区别 |
| 型号： MXPLAD6.5KP11CA 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | TVS 6.5kW BIDIRECT PLAD | MPLAD6.5KP11CAE3和MXPLAD6.5KP11CA的区别 |