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MT47H512M8WTR-25E:C

MT47H512M8WTR-25E:C

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip DDR2 SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.8V 63Pin FBGA

SDRAM - DDR2 存储器 IC 4Gb(512M x 8) 并联 63-FBGA(9x11.5)


得捷:
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 63FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 4G-Bit 512Mx8 1.8V 63-Pin FBGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 4G-Bit 512Mx8 1.8V 63-Pin FBGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.8V 63-Pin FBGA


Win Source:
IC DDR2 SDRAM 4GBIT 2.5NS 63FBGA


MT47H512M8WTR-25E:C中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.80 V

供电电流 162 mA

位数 8

存取时间 400 ps

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 63

封装 FBGA-63

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 FBGA-63

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

MT47H512M8WTR-25E:C引脚图与封装图
MT47H512M8WTR-25E:C引脚图

MT47H512M8WTR-25E:C引脚图

MT47H512M8WTR-25E:C封装图

MT47H512M8WTR-25E:C封装图

MT47H512M8WTR-25E:C封装焊盘图

MT47H512M8WTR-25E:C封装焊盘图

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MT47H512M8WTR-25E:C Micron 镁光 DRAM Chip DDR2 SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.8V 63Pin FBGA 搜索库存