MBD54DWT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 200 A
电容 10.0 pF
正向电压 1V @100mA
反向恢复时间 5 ns
正向电压Max 1V @100mA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 125℃ Max
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MBD54DWT1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MBD54DWT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBD54DWT1 | ON Semiconductor 安森美 | 双肖特基势垒二极管 Dual Schottky Barrier Diodes | 搜索库存 |
替代型号MBD54DWT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBD54DWT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-363 30V 200A | 当前型号 | 双肖特基势垒二极管 Dual Schottky Barrier Diodes | 当前型号 |
| 型号： MBD54DWT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 30V 200mA | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MBD54DWT1G.. 小信号肖特基二极管, 双隔离, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA, 125 °C | MBD54DWT1和MBD54DWT1G的区别 |