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MT46V64M8P-5B:J

MT46V64M8P-5B:J

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 66Pin TSOP

SDRAM - DDR Memory IC 512Mb 64M x 8 Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP


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MT46V64M8P-5B:J中文资料参数规格
技术参数

工作电压 2.50 V

位数 8

存取时间 700 ps

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.5V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 66

封装 TSOP-66

外形尺寸

封装 TSOP-66

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

MT46V64M8P-5B:J引脚图与封装图
MT46V64M8P-5B:J引脚图

MT46V64M8P-5B:J引脚图

MT46V64M8P-5B:J封装图

MT46V64M8P-5B:J封装图

MT46V64M8P-5B:J封装焊盘图

MT46V64M8P-5B:J封装焊盘图

在线购买MT46V64M8P-5B:J
型号 制造商 描述 购买
MT46V64M8P-5B:J Micron 镁光 DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 66Pin TSOP 搜索库存
替代型号MT46V64M8P-5B:J
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MT46V64M8P-5B:J

品牌: Micron 镁光

封装: TSOP

当前型号

DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 66Pin TSOP

当前型号

型号: MT46V64M8TG-5B:J

品牌: 镁光

封装: TSOP

完全替代

DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 66Pin TSOP

MT46V64M8P-5B:J和MT46V64M8TG-5B:J的区别

型号: MT46V64M8P-5B:F

品牌: 镁光

封装: 512000000B 2.6V 5ns

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型号: MT46V64M8P-6T:F

品牌: 镁光

封装: TSOP 512000000B 2.5V 6ns

类似代替

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