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MC33151VDR2G

MC33151VDR2G

数据手册.pdf

MOSFET驱动器

低端 栅极驱动器 IC 反相 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
高速 5A 双 MOSFET 驱动器


贸泽:
门驱动器 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET


e络盟:
MOSFET驱动器, 反相, 双, 6.5V至18V电源, 1.5A输出, 36ns延迟, SOIC-8


艾睿:
The MC33151VDR2G power driver from ON Semiconductor can provide management of your transistors and switches. This device has a maximum propagation delay time of 100 ns and a maximum power dissipation of 560 mW. Its maximum power dissipation is 560 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 6.5 V and a maximum of 18 V.


安富利:
MOSFET DRVR 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N T/R


Chip1Stop:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MC33151VDR2G  MOSFET Driver, 2 outputs, 6.5V-18V supply, 1.5A and 100 kohm output, SOIC-8


力源芯城:
双高速反相MOSFET驱动器


Win Source:
IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC


MC33151VDR2G中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 18.0V max

上升/下降时间 31ns, 32ns

无卤素状态 Halogen Free

输出接口数 2

输出电流 1.5 A

针脚数 8

耗散功率 560 mW

上升时间 31 ns

输出电流Max 1.5 A

下降时间 32 ns

下降时间Max 32 ns

上升时间Max 31 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 560 mW

电源电压 6.5V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 6.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MC33151VDR2G引脚图与封装图
MC33151VDR2G引脚图

MC33151VDR2G引脚图

MC33151VDR2G封装图

MC33151VDR2G封装图

MC33151VDR2G封装焊盘图

MC33151VDR2G封装焊盘图

在线购买MC33151VDR2G
型号 制造商 描述 购买
MC33151VDR2G ON Semiconductor 安森美 MOSFET驱动器 搜索库存
替代型号MC33151VDR2G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MC33151VDR2G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOIC-8 18V 8Pin

当前型号

MOSFET驱动器

当前型号

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封装: SOIC 18V 8Pin

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封装: SOIC 18V 8Pin

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