MJL21193中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -250 V
额定电流 -16.0 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 16A
最小电流放大倍数hFE 25 @8A, 5V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
制造应用 Professional audio amplifiers
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJL21193引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MJL21193
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJL21193 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-264 PNP -250V -16A | 当前型号 | 硅功率晶体管 Silicon Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： MJL21193G 品牌： 安森美 封装： TO-264 PNP -250V -16A 200000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJL21193G 单晶体管 双极, 音频, PNP, 250 V, 4 MHz, 200 W, 16 A, 75 hFE | MJL21193和MJL21193G的区别 |