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MJE15035

MJE15035

数据手册.pdf

4.0安培功率晶体管互补硅350伏50瓦 4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 350 VOLTS 50 WATTS

The Bipolar Power Transistor is designed for use as a high-frequency driver in audio amplifiers.

Features

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Pb-Free Packages are Available

得捷:
TRANS PNP 350V 4A TO220


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 350V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


MJE15035中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -350 V

额定电流 -4.00 A

极性 PNP

耗散功率 50 W

增益频宽积 30 MHz

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 10 @2A, 5V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.82 mm

高度 9.28 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJE15035引脚图与封装图
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在线购买MJE15035
型号 制造商 描述 购买
MJE15035 ON Semiconductor 安森美 4.0安培功率晶体管互补硅350伏50瓦 4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 350 VOLTS 50 WATTS 搜索库存
替代型号MJE15035
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MJE15035

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-220-3 PNP -350V -4A

当前型号

4.0安培功率晶体管互补硅350伏50瓦 4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 350 VOLTS 50 WATTS

当前型号

型号： MJE15035G

品牌： 安森美

封装： TO-220-3 PNP -350V -4A 2000mW

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ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

MJE15035和MJE15035G的区别