MMBTA43LT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBTA43LT1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBTA43LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBTA43LT1G | ON Semiconductor 安森美 | 高电压晶体管 High Voltage Transistors | 搜索库存 |
替代型号MMBTA43LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTA43LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 200V 500mA | 当前型号 | 高电压晶体管 High Voltage Transistors | 当前型号 |
| 型号： MMBTA43LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 200V 500mA | 类似代替 | 高压晶体管（ NPN硅） High Voltage TransistorsNPN Silicon | MMBTA43LT1G和MMBTA43LT1的区别 |
| 型号： MMBTA43-TP 品牌： 美微科 封装： | 类似代替 | SOT-23 NPN 200V | MMBTA43LT1G和MMBTA43-TP的区别 |
| 型号： MMBTA43LT3 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 高电压晶体管 High Voltage Transistors | MMBTA43LT1G和MMBTA43LT3的区别 |