MPS6601RLRAG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPS6601RLRAG引脚图与封装图
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在线购买MPS6601RLRAG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPS6601RLRAG | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 搜索库存 |
替代型号MPS6601RLRAG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS6601RLRAG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 25V 1A | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： BC182B 品牌： Multicomp 封装： TO-92 NPN 350mW | 类似代替 | MULTICOMP BC182B 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 200 MHz, 350 mW, 100 mA, 120 hFE | MPS6601RLRAG和BC182B的区别 |
| 型号： MMBT5087LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -50mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT5087LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -50 V, 40 MHz, 225 mW, -50 mA, 40 hFE | MPS6601RLRAG和MMBT5087LT1G的区别 |
| 型号： ZTX451 品牌： 美台 封装： TO-92 NPN 60V 1A 1000mW | 功能相似 | ZTX451 系列 60 V 1 A NPN 硅 面板 中等功率 晶体管 - TO-92-3 | MPS6601RLRAG和ZTX451的区别 |