MGSF1N03LT3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 1.60 A
通道数 1
漏源极电阻 125 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 730 mW
输入电容 140 pF
栅电荷 6.00 µC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.10 A, 1.60 A
上升时间 1 ns
输入电容Ciss 140pF @5VVds
下降时间 1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 420mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MGSF1N03LT3G引脚图与封装图
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在线购买MGSF1N03LT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MGSF1N03LT3G | ON Semiconductor 安森美 | 2.1A,30V功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号MGSF1N03LT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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