MTP23P06V中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -23.0 A
漏源极电阻 120 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 90 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±15.0 V
连续漏极电流Ids 23.0 A
上升时间 98.3 ns
输入电容Ciss 1620pF @25VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 62 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 90W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MTP23P06V引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MTP23P06V
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTP23P06V | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 23安培， 60伏 Power MOSFET 23 Amps, 60 Volts | 搜索库存 |
替代型号MTP23P06V
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTP23P06V 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220 P-Channel 60V 23A 120mohms | 当前型号 | 功率MOSFET 23安培， 60伏 Power MOSFET 23 Amps, 60 Volts | 当前型号 |
| 型号： 2SJ652 品牌： 安森美 封装： TO-220ML P-CH -60V -28A 55.5mohms -2.6V | 类似代替 | -28A,-60V,P沟道MOSFET | MTP23P06V和2SJ652的区别 |
| 型号： IRF5305PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL P-Channel 55V 31A | 功能相似 | INFINEON IRF5305PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 60 mohm, -10 V, -4 V | MTP23P06V和IRF5305PBF的区别 |
| 型号： 2SJ553L-E 品牌： 瑞萨电子 封装： | 功能相似 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | MTP23P06V和2SJ553L-E的区别 |