MTP20N15E中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
额定电流 20.0 A
通道数 1
漏源极电阻 130 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 112 W
输入电容 1.63 nF
栅电荷 55.9 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 77 ns
输入电容Ciss 1627pF @25VVds
下降时间 49 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 112W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MTP20N15E引脚图与封装图
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在线购买MTP20N15E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTP20N15E | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 20安培， 150伏特N沟道TO- 220 Power MOSFET 20 Amps, 150 Volts N-Channel TO-220 | 搜索库存 |
替代型号MTP20N15E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTP20N15E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220 N-Channel 150V 20A 130mohms 1.63nF | 当前型号 | 功率MOSFET 20安培， 150伏特N沟道TO- 220 Power MOSFET 20 Amps, 150 Volts N-Channel TO-220 | 当前型号 |
| 型号： MTP20N15EG 品牌： 安森美 封装： TO-220 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 150V 20A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail | MTP20N15E和MTP20N15EG的区别 |
| 型号： MTP20N06V 品牌： 安森美 封装： TO-220 N-CH 60V 20A | 功能相似 | TO-220 N-CH 60V 20A | MTP20N15E和MTP20N06V的区别 |