MMDF2C03HDR2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 4.10 A
漏源极电阻 70.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.10 A
输入电容Ciss 630pF @24VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMDF2C03HDR2引脚图与封装图
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在线购买MMDF2C03HDR2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMDF2C03HDR2 | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 2安培， 30伏特互补SO- 8 ，双 Power MOSFET 2 Amps, 30 Volts Complementary SO-8, Dual | 搜索库存 |