MPSA18G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 45.0 V
额定电流 200 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 160 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 500 @10mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPSA18G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MPSA18G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPSA18G | ON Semiconductor 安森美 | 低噪声晶体管NPN硅 Low Noise Transistor NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号MPSA18G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSA18G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 45V 200mA | 当前型号 | 低噪声晶体管NPN硅 Low Noise Transistor NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： ZTX453 品牌： 美台 封装： TO-92 NPN 100V 1A 1000mW | 功能相似 | DIODES INC. ZTX453 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 150 MHz, 1 W, 1 A, 40 hFE | MPSA18G和ZTX453的区别 |
| 型号： ZTX551 品牌： 美台 封装： TO-92 PNP 60V 1A 1000mW | 功能相似 | DIODES INC. ZTX551 单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 150 MHz, 1 W, 1 A, 50 hFE | MPSA18G和ZTX551的区别 |
| 型号： ZTX649 品牌： 美台 封装： TO-92 NPN 25V 2A 1000mW | 功能相似 | ZTX649 系列 NPN 2 A 25 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3 | MPSA18G和ZTX649的区别 |