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MJE18004D2G

MJE18004D2G

数据手册.pdf

TO-220AB NPN 450V 5A

Bipolar BJT Transistor NPN 450V 5A 13MHz 75W Through Hole TO-220AB


得捷:
TRANS NPN 450V 5A TO-220AB


艾睿:
Trans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


MJE18004D2G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 450 V

额定电流 5.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 450 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 6 @2A, 1V

额定功率Max 75 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJE18004D2G引脚图与封装图
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在线购买MJE18004D2G
型号 制造商 描述 购买
MJE18004D2G ON Semiconductor 安森美 TO-220AB NPN 450V 5A 搜索库存
替代型号MJE18004D2G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJE18004D2G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-220AB NPN 450V 5A

当前型号

TO-220AB NPN 450V 5A

当前型号

型号: KSC5338DTU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220 NPN 450V 5A 75000mW

完全替代

Trans GP BJT NPN 450V 5A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail

MJE18004D2G和KSC5338DTU的区别

型号: KSC5338D

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220 NPN 450V 5A 75000mW

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