锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
MUN5113T1

MUN5113T1

数据手册.pdf

MUN5113T1 偏置电阻PNP -50V -0.1A R1=R2=47KΩ HEF=80~140 代码 6C

 集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 47KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 |  47KΩ 电阻比R1/R2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 80~140 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 耗散功率Pc Power dissipation |


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R


MUN5113T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 202 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 202 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.24 mm

高度 0.85 mm

封装 SC-70-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MUN5113T1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MUN5113T1
型号 制造商 描述 购买
MUN5113T1 ON Semiconductor 安森美 MUN5113T1 偏置电阻PNP -50V -0.1A R1=R2=47KΩ HEF=80~140 代码 6C 搜索库存
替代型号MUN5113T1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MUN5113T1

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW

当前型号

MUN5113T1 偏置电阻PNP -50V -0.1A R1=R2=47KΩ HEF=80~140 代码 6C

当前型号

型号： MUN5114T1

品牌： 安森美

封装： SOT-323/SC-70 PNP -50V -100mA

完全替代

MUN5114T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 140 0.31W/310mW SOT-323/SC-70 标记6D 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路

MUN5113T1和MUN5114T1的区别

型号： MUN5133T1

品牌： 安森美

封装： SOT-323 PNP -50V -100mA

完全替代

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

MUN5113T1和MUN5133T1的区别

型号： MUN5113T3

品牌： 安森美

封装： SOT-323 PNP 50V 100mA

完全替代

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

MUN5113T1和MUN5113T3的区别