MUN5312DW1T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN+PNP
耗散功率 187 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-88-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-88-6
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MUN5312DW1T1引脚图与封装图
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在线购买MUN5312DW1T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN5312DW1T1 | ON Semiconductor 安森美 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | 搜索库存 |
替代型号MUN5312DW1T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN5312DW1T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-363 NPN PNP 50V 100mA 385mW | 当前型号 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | 当前型号 |
| 型号： MUN5312DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MUN5312DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率, SOT-363 新 | MUN5312DW1T1和MUN5312DW1T1G的区别 |
| 型号： MUN5312DW1T2 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | SC-88 NPN+PNP 50V 100mA | MUN5312DW1T1和MUN5312DW1T2的区别 |
| 型号： MUN5312DW1T2G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN PNP 385mW | 功能相似 | MUN5312DW1: 互补双极数字晶体管 BRT | MUN5312DW1T1和MUN5312DW1T2G的区别 |