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MUN5232T1

MUN5232T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k 4.7k 增益15-30 SOT-323/SC-70 marking/标记 8J

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 4.7KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 15-30 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.3W/300mW Description & Applications| Features NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space • Reduces Component Count • The SC−70/SOT−323 package can be soldered using wave or reflow. The modified gull−winged leads absorb thermal stress during soldering eliminating the possibility of damage to the die. • Available in 8 mm embossed tape and reel. Use the Device Number to order the 7 inch/3000 unit reel. • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 特性 NPN硅表面贴装 具有单片偏置电阻网络 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •SC-70/SOT-323包装可以使用波或回流焊接。 修改后的鸥翅引线过程中吸收热应力 除焊接的模具损坏的可能性。 •可于8 mm压纹带和卷轴。使用设备号编排7 inch/3000的单位卷轴。 •无铅包可用

MUN5232T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 202 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 15 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 15

额定功率Max 202 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.24 mm

高度 0.85 mm

封装 SC-70-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MUN5232T1引脚图与封装图
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MUN5232T1 ON Semiconductor 安森美 MUN5232T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k 4.7k 增益15-30 SOT-323/SC-70 marking/标记 8J 搜索库存
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型号: MUN5232T1

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-323 NPN 50V 100mA

当前型号

MUN5232T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k 4.7k 增益15-30 SOT-323/SC-70 marking/标记 8J

当前型号

型号: MUN5232T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 NPN 50V 100mA 310mW

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