MUN5315DW1T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN+PNP
耗散功率 187 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-88-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-88-6
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MUN5315DW1T1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MUN5315DW1T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN5315DW1T1 | ON Semiconductor 安森美 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | 搜索库存 |
替代型号MUN5315DW1T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN5315DW1T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-363 NPN PNP 50V 100mA | 当前型号 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | 当前型号 |
| 型号： MUN5315DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW | 功能相似 | MUN 系列 50 V 100 mA 10 kOhm NPN/PNP 双 偏置电阻晶体管 - SOT-363 | MUN5315DW1T1和MUN5315DW1T1G的区别 |