MUN5136DW1T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MUN5136DW1T1引脚图与封装图
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| MUN5136DW1T1 | ON Semiconductor 安森美 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | 搜索库存 |