MUN5231T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 202 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 8 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 8
额定功率Max 202 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MUN5231T1引脚图与封装图
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在线购买MUN5231T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN5231T1 | ON Semiconductor 安森美 | NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS | 搜索库存 |
替代型号MUN5231T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN5231T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 NPN 50V 100mA 310mW | 当前型号 | NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS | 当前型号 |
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