MMBD7000LT3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 200 mA
正向电压 1.1V @100mA
耗散功率 225 mW
反向恢复时间 4 ns
正向电流 0.5 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMBD7000LT3引脚图与封装图
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在线购买MMBD7000LT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBD7000LT3 | ON Semiconductor 安森美 | 双开关二极管 Dual Switching Diode | 搜索库存 |
替代型号MMBD7000LT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBD7000LT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 100V 200mA | 当前型号 | 双开关二极管 Dual Switching Diode | 当前型号 |
| 型号： MMBD7000LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 100V 200mA 3Pin | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBD7000LT3G 开关二极管, 2串联, 0.2A SOT-23 | MMBD7000LT3和MMBD7000LT3G的区别 |
| 型号： MMBD7000-TP 品牌： 美微科 封装： SOT-23 100V 150mA 3Pin | 功能相似 | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS MMBD7000-TP 开关二极管, 100V, SOT-23 | MMBD7000LT3和MMBD7000-TP的区别 |
| 型号： MMBD7000 品牌： 美台 封装： | 功能相似 | 双小信号开关二极管 DUAL SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE | MMBD7000LT3和MMBD7000的区别 |