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MJ11030

高电流互补硅功率晶体管 High−Current Complementary Silicon Power Transistors

50 AMPERE COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60 − 120 VOLTS 300 WATTS

High−Current Complementary Silicon Power Transistors are for use

as output devices in complementary general purpose amplifier

applications.

Features

•High DC Current Gain − hFE= 1000 Min @ IC= 25 Adc

                                 hFE= 400 Min @ IC= 50 Adc

•Curves to 100 A Pulsed

•Diode Protection to Rated IC

•Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistor

•Junction Temperature to +200C

•Pb−Free Packages are Available
.
MJ11030中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 90.0 V

额定电流 50.0 A

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 90 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @25A, 5V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJ11030引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MJ11030 ON Semiconductor 安森美 高电流互补硅功率晶体管 High−Current Complementary Silicon Power Transistors 搜索库存
替代型号MJ11030
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJ11030

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-3 90V 50A 300000mW

当前型号

高电流互补硅功率晶体管 High−Current Complementary Silicon Power Transistors

当前型号

型号: MJ11032G

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 120V 50A 300000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MJ11032G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, 18 hFE

MJ11030和MJ11032G的区别

型号: MJ11028G

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 50V 50A 300000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MJ11028G  达林顿双极晶体管

MJ11030和MJ11028G的区别

型号: NTE2349

品牌: NTE Electronics

封装: TO-3 NPN 120V 50A 300000mW

功能相似

NTE ELECTRONICS  NTE2349  达林顿晶体管, NPN, 120V, TO-3

MJ11030和NTE2349的区别