MJW21191G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -150 V
额定电流 -4.00 A
极性 PNP, P-Channel
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 15 @4A, 2V
额定功率Max 125 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJW21191G引脚图与封装图
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在线购买MJW21191G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJW21191G | ON Semiconductor 安森美 | 8.0 A功率晶体管互补硅150伏， 125瓦 8.0 A POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 V, 125 W | 搜索库存 |
替代型号MJW21191G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJW21191G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-247 PNP -150V -4A | 当前型号 | 8.0 A功率晶体管互补硅150伏， 125瓦 8.0 A POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 V, 125 W | 当前型号 |
| 型号： MJW21191 品牌： 安森美 封装： TO-247 PNP -150V -4A | 类似代替 | 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | MJW21191G和MJW21191的区别 |
| 型号： MJW21193G 品牌： 安森美 封装： TO-247 PNP -250V -16A 200000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJW21193G 单晶体管 双极, 音频, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -30 A, 20 hFE | MJW21191G和MJW21193G的区别 |
| 型号： MJW21193 品牌： 安森美 封装： TO-247 PNP -250V -16A | 功能相似 | 硅功率晶体管 Silicon Power Transistors | MJW21191G和MJW21193的区别 |