额定电压DC 25.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MPS5172G | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistor NPN Silicon | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MPS5172G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 NPN 25V 100mA | 当前型号 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistor NPN Silicon | 当前型号 | |
型号: MPS5172RLRMG 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 25V 100mA 625mW | 完全替代 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistor NPN Silicon | MPS5172G和MPS5172RLRMG的区别 | |
型号: 2N5172 品牌: Central Semiconductor 封装: TO92 | 类似代替 | 25 V 100 mA 625 mW NPN 通孔 硅 晶体管 - TO-92 | MPS5172G和2N5172的区别 | |
型号: BC547B 品牌: 安森美 封装: TO-92 N-Channel 45V 100mA 625mW | 功能相似 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | MPS5172G和BC547B的区别 |