MPS750G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 1.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 75 @1A, 2V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPS750G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MPS750G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS750G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -40V 1A | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： MPS750RLRA 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -40V -2A | 类似代替 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | MPS750G和MPS750RLRA的区别 |
| 型号： MPS750 品牌： 安森美 封装： TO-92 Dual P-Channel -40V -2A 625mW | 类似代替 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | MPS750G和MPS750的区别 |
| 型号： MPS750RLRPG 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -40V -2A 625mW | 功能相似 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | MPS750G和MPS750RLRPG的区别 |