MJB41C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 6.00 A
极性 NPN
耗散功率 65 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 6A
最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 4V
最大电流放大倍数hFE 75
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 800
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MJB41C引脚图与封装图
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在线购买MJB41C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJB41C | ON Semiconductor 安森美 | 互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号MJB41C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJB41C 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-263-3 NPN 100V 6A | 当前型号 | 互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： MJB41CG 品牌： 安森美 封装： TO263-3 NPN 100V 6A 2000mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MJB41CG 功率晶体管, NPN, 100V, D2-PAK | MJB41C和MJB41CG的区别 |
| 型号： MJB41CT4G 品牌： 安森美 封装： TO-263 NPN 100V 6A 2000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJB41CT4G. 功率晶体管, NPN, 100V, D2-PAK | MJB41C和MJB41CT4G的区别 |
| 型号： MJD41CT4G 品牌： 安森美 封装： DPAK NPN 100V 6A 1750mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJD41CT4G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 1.75 W, 6 A, 15 hFE | MJB41C和MJD41CT4G的区别 |