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MPS4126RLRA

MPS4126RLRA

数据手册.pdf

晶体管放大器PNP硅 Amplifier Transistor PNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 25V 200mA 170MHz 625mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS PNP 25V 0.2A TO92


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 200mA 25V PNP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 625000mW 3-Pin TO-92 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R


MPS4126RLRA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -200 mA

极性 PNP

耗散功率 625 mW

增益频宽积 170 MHz

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 625000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

MPS4126RLRA引脚图与封装图
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