MMJT350T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -300 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 2.75 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 30
最大电流放大倍数hFE 240
额定功率Max 2.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.57 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 1000
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMJT350T1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MMJT350T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMJT350T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-223 PNP -300V -500mA | 当前型号 | 双极功率晶体管 Bipolar Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： MMJT350T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 PNP -300V -500mA 1400mW | 类似代替 | 高电压晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | MMJT350T1和MMJT350T1G的区别 |